Breitbandiger verteilter Verstärker für Rechenzentren, Messsysteme und Sensoren

Forschende des Fraunhofer IAF haben einen extrem breitbandigen verteilten Verstärker-Chip auf Basis der hauseigenen InGaAs-auf-Si-HEMT-Technologie entwickelt. Er erreicht zwischen 4 und 420 GHz eine Verstärkung von 11 ± 2 dB und ist für den Einsatz in Rechenzentren, Messsystemen und Sensoren prädestiniert. Zusammen mit weiteren neuen Entwicklungen im Bereich der Hochfrequenzelektronik präsentiert das Fraunhofer IAF den Chip vom 4. bis 9. Oktober 2026 bei der European Microwave Week in London (Stand B35).
Quelle: IDW-Informaitionsdienst d. Wissenschaft