GaN-Leistungselektronik für bidirektionales, einphasiges DC-Laden von Elektrofahrzeugen

GaN-Leistungselektronik kombiniert Leistungs-, Effizienz- und Kostenvorteile und spielt für die Energiewende eine zentrale technologische Rolle. Im Rahmen der PCIM Expo & Conference 2026 präsentiert das Fraunhofer IAF vom 9. bis 11. Juni in Nürnberg neueste Entwicklungen im Bereich der GaN-Leistungselektronik – als Highlight den Demonstrator eines bidirektionalen, einphasigen 800-V-DC-Ladegeräts für E-Autos. Er wurde im Rahmen des BMWE-Projekts GaN4EmoBiL vom Projektpartner Ambibox entwickelt und enthält ein 1200-V-GaN-Modul des Fraunhofer IAF.
Quelle: IDW-Informaitionsdienst d. Wissenschaft