Bereitstellung von 4-Zoll Aluminiumnitrid-Kristallen für Zukunftsmärkte der Leistungselektronik und UV-Photonik

Drei führende Akteure der Halbleiterforschung- und Entwicklung – das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), die PVA TePla AG und die Siltronic AG – bündeln ihre Expertise in einem wegweisenden Projekt zur Skalierung der Aluminiumnitrid (AlN)-Kristallzüchtung. Ziel ist die Entwicklung von 4-Zoll-AlN-Wafern als Grundlage für Anwendungen in der Hochleistungselektronik und der UV-Photonik.
Quelle: IDW-Informaitionsdienst d. Wissenschaft