BMBF fördert Projekt „All-GO-HEMT“ zur Entwicklung hocheffizienter β-Galliumoxid-Heterostrukturen mit rund 2 Mio Euro

Unter der Leitung von Dr. Andreas Fiedler zielt das Projekt „All-GO-HEMT“ darauf ab, modulationsdotierte β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃/Ga₂O₃-Heterostrukturen zu entwickeln, die eine hohe Elektronenbeweglichkeit aufweisen. Mit einer Gesamtprojektförderung von knapp 2 Millionen Euro, finanziert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF), soll dieses Projekt zu einer erheblichen Effizienzsteigerung in der Leistungselektronik führen und somit einen wesentlichen Beitrag zur nachhaltigen Energieerzeugung leisten.
Quelle: IDW-Informaitionsdienst d. Wissenschaft